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可變電阻器應(yīng)用在動態(tài)閾值逆變器中有哪些作用

可變電阻器應(yīng)用在動態(tài)閾值逆變器中有哪些作用

可變電阻器應(yīng)用在動態(tài)閾值逆變器拓?fù)鋱D可以被認(rèn)為是一種適合的超低功耗和低壓電荷泵設(shè)計的建筑單元?？勺冸娮杵鲗τ谶@樣的系統(tǒng)，一個非常重要的設(shè)計考慮因素是不可避免的雙阱CMOS制造工藝，因為PMOS和NMOS器件都需要通過各自的阱與共同襯底隔離。可變電阻器設(shè)計需要考慮的問題是電源電壓的限制。其電平不能超過0.6 V室溫下。否則寄生的NPN和PNP雙極晶體管就會打開，極有可能引起鎖存效應(yīng)的觸...

發(fā)布時間：2021-04-09      [查看詳情+]
貼片合金電阻設(shè)計電路為了獲得最大的電壓增益

貼片合金電阻設(shè)計電路為了獲得最大的電壓增益

貼片合金電阻設(shè)計電路為了獲得最大的電壓增益，應(yīng)該增加M3的跨導(dǎo)，并使設(shè)備M3和M9的輸出導(dǎo)最小化。由于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是對稱的，同樣的情況也適用于所討論的晶體管的對等體。貼片合金電阻電路另一個重要的設(shè)計考慮是電路能可靠工作的最小電源電壓。所提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)只包含兩個堆疊的晶體管，需要飽和才能正常工作。因此，可以將室溫下的理論最小電源電壓表示為: 貼片合金電阻這種表達(dá)式來自于...

發(fā)布時間：2021-04-09      [查看詳情+]
貼片電阻器和MOS晶體管是低壓集成電路設(shè)計中常用元器件

貼片電阻器和MOS晶體管是低壓集成電路設(shè)計中常用元器件

貼片電阻器可以在標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)中使用的低壓設(shè)計技術(shù)和方法的調(diào)查沒有額外的過程步驟被提出。一般來說，低壓設(shè)計技術(shù)可分為兩大類:傳統(tǒng)方法和非常規(guī)方法。非常規(guī)方法包括體積驅(qū)動BD方法、動態(tài)閾值技術(shù)、浮門方法、準(zhǔn)浮門方法和體積驅(qū)動準(zhǔn)浮門方法。然而，只有采用體積驅(qū)動和動態(tài)閾值方法設(shè)計的電路可以在標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)中實現(xiàn)，而無需修改制造工藝。另一方面，傳統(tǒng)的電路技術(shù)，如軌到軌輸入...

發(fā)布時間：2021-04-08      [查看詳情+]
金屬箔電阻器應(yīng)用在CMOS逆變器中有哪些用途

金屬箔電阻器應(yīng)用在CMOS逆變器中有哪些用途

金屬箔電阻器是一種常用電路半導(dǎo)體，金屬箔電阻器在很多動態(tài)閾值逆變器拓?fù)鋱D可以被認(rèn)為是一種適合的超低功耗和低壓電荷泵設(shè)計的建筑單元。對于這樣的系統(tǒng)，一個非常重要的設(shè)計考慮因素是不可避免的雙阱CMOS制造工藝，因為PMOS和NMOS器件都需要通過各自的阱與共同襯底隔離。金屬箔電阻器使用另一個需要考慮的問題是電源電壓的限制。其電平不能超過0.6 V室溫下。否則寄生的NPN和PNP雙極晶體管...

發(fā)布時間：2021-04-08      [查看詳情+]
貼片電阻和晶體管適用于低壓和低頻應(yīng)用

貼片電阻和晶體管適用于低壓和低頻應(yīng)用

貼片電阻和晶體管是常用的電子元器件，貼片電阻和晶體管在BD差分放大器是另一種廣泛且經(jīng)常實現(xiàn)的電路拓?fù)鋱D，但是，在大容量驅(qū)動配置中。電子器件M1和M2的柵端子與最低電位相連，以保證最高可能的倒置水平。傳統(tǒng)的差分放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由于需要超過輸入對閾值電壓和偏置高側(cè)晶體管的最小飽和電壓而受到輸入共模范圍VCM的限制。VCM電壓范圍如式所示。 貼片電阻和晶體管在輸入BD晶體管用于獲得...

發(fā)布時間：2021-04-07      [查看詳情+]
功率電阻在VGA電壓增益電路上有哪些作用

功率電阻在VGA電壓增益電路上有哪些作用

一般來說功率電阻在很多電源設(shè)備上是常用的產(chǎn)品，功率電阻經(jīng)常可以使用在一些電壓增益電路上，列如整個VGA電壓增益可以通過調(diào)節(jié)總電導(dǎo)或總輸出阻抗來控制。因此，采用M5和M6晶體管來控制VGA增益。控制電壓VCTRL的改變調(diào)節(jié)了通過輸入器件M1和M2的電流，最終改變了它們的有效跨導(dǎo)。實際上，這將改變第一級的電壓放大，這將導(dǎo)致擬議VGA的總體增益的修改。VGA電壓總增益與增益控制器件gm5和gm6的跨...

發(fā)布時間：2021-04-07      [查看詳情+]
插件電阻和MOS晶體管有非常重要的設(shè)計意義

插件電阻和MOS晶體管有非常重要的設(shè)計意義

插件電阻和MOS晶體管經(jīng)常應(yīng)用于各種電路設(shè)計，目前基于設(shè)計電荷表的EKV MOS晶體管模型的發(fā)展大大改善了這種情況。與基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓的BSIM模型不同，EKV模型定義MOS器件的參數(shù)依賴于反轉(zhuǎn)能級的連續(xù)范圍。EKV模型還引入了所謂的gm/ID設(shè)計方法，這種方法可以實現(xiàn)簡單而準(zhǔn)確的手工計算，直接的晶體管尺寸和完全獨(dú)立的技術(shù)。在電路中，定義了反轉(zhuǎn)能級，也稱為MOS結(jié)構(gòu)的反轉(zhuǎn)系數(shù)(IC)。 插件電阻和...

發(fā)布時間：2021-04-02      [查看詳情+]
貼片電阻采用新技術(shù)設(shè)計對于電阻小型化發(fā)展非常重要

貼片電阻采用新技術(shù)設(shè)計對于電阻小型化發(fā)展非常重要

貼片電阻是集成電路設(shè)計重要電子元器件，目前集成電路采用新工藝進(jìn)行生產(chǎn)，從集成電路設(shè)計的角度來看，降低VDD值造成的主要問題之一是降低了現(xiàn)有和標(biāo)準(zhǔn)電路拓?fù)涞挠杏秒妷悍秶?。模擬電路主要受到這種限制缺陷的影響。降低閾值電壓，以及MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管柵氧化層變薄，會導(dǎo)致亞閾值漏電流急劇上升，這在納米技術(shù)中是相當(dāng)?shù)湫偷?。這些原因限制了閾值電壓的進(jìn)一步降低。設(shè)備和...

發(fā)布時間：2021-04-02      [查看詳情+]
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