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厚膜貼片電阻低頻噪聲的來源與電荷輸運機制有關

來源:萬利隆電子 人氣:發(fā)布時間:2021-03-29
厚膜貼片電阻實驗得到的結(jié)果相對電阻、應變系數(shù)變化和噪聲指數(shù)對厚膜貼片電阻受到同時影響機電緊張以及總結(jié)情節(jié)相對厚膜貼片電阻變化的電同時機械和電緊張10 kΩ/平方厚膜電阻應承擔a - 10每系列脈沖,B-single脈沖,電阻器寬度:w = 1毫米,長度:l = 4毫米。在厚膜貼片電阻組成的情況下,小的導電/隔離相比決定了主要的導電機制—穿過玻璃屏障的隧道。這種小體積的導電相導致了顯著的微觀結(jié)構(gòu)變化,改變了阻擋電阻,導致電阻顯著下降。測量因子的變化隨應用應變和噪聲指標值的增加而增加。給出了機械和電氣同時承受100 k ω /sq厚膜電阻的相對電阻、測量因子變化和噪聲指數(shù)的實驗結(jié)果。
 
厚膜貼片電阻
 
厚膜貼片電阻中厚阻膜中低頻噪聲的來源與電荷輸運機制有關;金屬導電與接觸電阻率和粒子電阻率的電阻波動有關,而隧穿玻璃屏障與噪聲有關,這是由于噪聲的調(diào)制和金屬注入模組絕緣層中陷阱的存在所引起的波動。為厚阻膜同時進行電、機械應變前后的電流噪聲譜實驗結(jié)果,其相對電阻、測量因子和噪聲指數(shù)變化的實驗結(jié)果?,F(xiàn)有的數(shù)據(jù)表明,微觀結(jié)構(gòu)水平的變化導致初始阻力下降。宏觀結(jié)構(gòu)水平的變化則有相反的作用。初始電阻減小后電阻增大,從而達到初始電阻值。
厚膜電阻
厚膜貼片電阻為了充分理解影響相關的電流噪聲同時緊張的厚膜電阻,根據(jù)實驗數(shù)據(jù)擬合過程實施了和理論關系。作為一個例子,曲線的擬合和實驗結(jié)果,一起貢獻不同的噪聲源的總電流噪聲頻譜。在總電流噪聲譜中,占主導地位的1/f噪聲包括粒子和接觸電阻率波動引起的1/f噪聲和絕緣子奈奎斯特噪聲引起的勢壘高度波動]。利用1/f噪聲擬合參數(shù)γ和B0可以評價機電同時應變對1/f噪聲的影響。在機械應變和電應變同時進行前后,擬合參數(shù)γ值均為1,B0值如。
 
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