N型半導體的電阻率有什么不同

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時間：2021-01-05

如果一種內在的半導體材料被給予(純)和另一種材料，就會獲得外部半導體。在內在半導體中，自由電子和弧的數量是相等的。半導體導電率非常低，因為載重器孔和自由電子的數量都很有限。如果硅被五種無雜質的東西麻醉，那么它就會獲得這些五種不同價位的半導體，如銻、砷和磷。半導體晶體結構由于反莫尼原子(Sb)是5級，所以4個電子價與硅原子的共價鍵配對，而5個電子則不配對。因此，第五電子鍵與原子核的鍵變得弱，容易成為自由電子。

雖然n硅基元素包含相當多的自由電子，但整個晶體保持中立，因為原子核中正弦的數量仍然等于整個電子的數量。除了自由電子(占多數)數量增加外，n的類型數實際上在下降。這是因為隨著自由電子數量的增加，孔和電子重新組合的速度增加了。這就減少了。自由電子捐贈原子的能量水平可以用下面的圖片來描述。硅的導電磁帶能量為0.05 eV, 0.01 eV之間的距離很小。因此，在室溫下，所有的供能電子都可以到達導電帶，成為自由電子。

n型半導體的材料可以畫在下面。因為供體原子被電子(也就是自由電子)拋在后面，它們就變成了帶電離子。用一個正弦符號來描述。而自由電子成為多數持有者。他的載客車是一個洞。半導體型N型半導體如果一種純半導體(內在的)材料在三種情況下被安培化，那么它就會獲得半導體p。因為每一個原子都有一個電子，所以處于第五階段的原子被稱為捐贈原子。而“自由”電子也可以控制它的數量或集中。

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