精密MELF電阻與雙相晶體管有哪些不同

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2020-12-25

精密MELF電阻與晶體管都是重要的電子元器件，晶體管是一個(gè)雙連接的二極管。連接形成PNP和NPN晶體管。晶體管終端機(jī)的末端被稱(chēng)為發(fā)射器、基地和收集器。在最初的建設(shè)中，晶體管pin序列并不總是發(fā)射器，一個(gè)收集基地。但這取決于晶體管的類(lèi)型。這個(gè)晶體管被稱(chēng)為雙極晶體管，因?yàn)樗墓ぷ鹘Y(jié)構(gòu)和原理取決于負(fù)極的電子位移來(lái)填充正極的電子缺陷。bi = 2和zero - 1。是1951年威廉·肖克利首次發(fā)現(xiàn)了雙相晶體管。

精密MELF電阻與雙相晶體管有兩個(gè)連接，可與兩個(gè)二極管合并。Emiter-Base是一個(gè)接頭，另一個(gè)收集器連接。就像二極管一樣，只有在發(fā)出正偏差時(shí)，電流才會(huì)流動(dòng)，也就是說(shuō)，只有在材料P的張力高于前向偏壓時(shí)才會(huì)流動(dòng)。在下一幅NPN晶體管插圖中，網(wǎng)址給了正態(tài)偏差，而網(wǎng)址給了反向偏差。電子晶體管NPN由于定位球在二極管中有正偏差，電子從發(fā)射器向基極流動(dòng)。這條線程上的收集器更正，因?yàn)樗碾妷菏钦?。因?yàn)檫@些收藏家是正的，電子流正朝著這個(gè)立方體移動(dòng)。假設(shè)沒(méi)有收集器，電子通路就像二極管一樣向底。但是由于基地的寬度非常薄，只有部分電子可以連接到基地上的孔。

此外精密MELF電阻應(yīng)用不同，晶體管大部分將滲透到收集器。這就是為什么如果兩個(gè)二極管結(jié)合在一起不能成為晶體管，因?yàn)閴A基的寬度必須非常薄，才能被電子控制。例如，如果電壓是反向發(fā)射器，那么從發(fā)射器到收集器就沒(méi)有電子流了。如果緩慢的水龍頭被向前偏移，電子就會(huì)流向收藏家，其大小與給定的偏移量成正比。換句話說(shuō)，底流控制著從發(fā)射器向收集器流動(dòng)的電子的數(shù)量。這就是所謂的晶體管強(qiáng)化效應(yīng)，因?yàn)樯倭康牡琢鲿?huì)產(chǎn)生更大的冷凝器電流。

因?yàn)樯厦娴慕忉尣](méi)有加強(qiáng)，而是更小的電流控制著更大的電流。它還可以解釋基地設(shè)置了打開(kāi)和關(guān)閉收集器流量。在PNP晶體管中，類(lèi)似的現(xiàn)象可以通過(guò)在下面的圖片中給出類(lèi)似的偏差來(lái)解釋。在這種情況下，所謂的電流位移是孔的電流。

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