箔片電阻器有優(yōu)越的可控性和優(yōu)異的電磁干擾性能

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時間：2020-10-28

電阻器通常是由一根金屬線繞在陶瓷、塑料或玻璃纖維芯上制成的。電線的兩端被焊接到兩個帽上，連接到鐵芯的兩端。該組件由一層油漆、模制塑料或高溫烘烤的搪瓷涂層保護。引線直徑通常在0.6到0.8毫米之間，為便于焊接而鍍錫。箔片電阻有最好的精度和穩(wěn)定性，電阻溫度系數(shù)TCR是影響穩(wěn)定性的重要參數(shù)之一。雖然箔電阻的TCR被認為是非常低的，但這一特性多年來得到了進一步的改進。

許多箔片電阻器提供了行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)在一個金屬外殼上，這種電阻設(shè)備在650伏的電壓下，在一個TO-247。新的電阻器技術(shù)包括當前的20 A、30 A、40 A、50 A和75 A等級。它可以很容易地替代以前的技術(shù)和并行。箔片電阻器在IGBT7特別適用于工業(yè)電機驅(qū)動、功率因數(shù)校正、光伏和不間斷電源等應(yīng)用。

IGBT7芯片采用新型微井網(wǎng)技術(shù)，具有較低的靜態(tài)損耗。對于相同的電流類，通態(tài)電壓降低了10%。這一特性在應(yīng)用中帶來了顯著的損耗減少，特別是對于通常在中等開關(guān)頻率下運行的工業(yè)驅(qū)動器。IGBT T7技術(shù)具有非常低的飽和電壓(V CE(sat))，并與發(fā)射器控制的第7代(EC7)二極管共同封裝，提供了一個150 mV的低正向電壓(V F)下降和改進的反向恢復(fù)軟性。

該裝置具有優(yōu)越的可控性和優(yōu)異的電磁干擾性能。它可以很容易地調(diào)整，以提供特定應(yīng)用的最佳比例的dv/dt和開關(guān)損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7提供了應(yīng)用所需的短路魯棒性。此外，它還通過了基于JEDEC的HV-H3TRB(高電壓高濕度高溫反向偏置)測試，證明了該設(shè)備在高濕度環(huán)境下的堅固性，這在工業(yè)應(yīng)用中通常可以找到。箔片電阻器采用了半導(dǎo)體解決方案，使生活更容易，更安全和更環(huán)保。來自電子技術(shù)是通向美好未來的關(guān)鍵。

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