高精度電阻器應(yīng)用對低質(zhì)量離子電推進器解決方案

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時間：2020-04-07

高精度電阻器是一種比較高端產(chǎn)品，這些高精度電阻器由于精度高在價格方面也相對較高。目前高精度電阻應(yīng)用推進器解決方案已經(jīng)廣泛發(fā)展，傳統(tǒng)的化學推進器已經(jīng)用于低地球軌道(LEO)、中地球軌道(MEO)和地球靜止軌道(GEO)的衛(wèi)星。然而，不斷縮小的衛(wèi)星尺寸導致了對低質(zhì)量離子電推進器的更大需求。高精度電阻器研發(fā)公司在這個應(yīng)用領(lǐng)域有一個高度優(yōu)化的解決方案。通過采用多芯片陣列技術(shù)提供了一種可配置的低成本封裝電路，能夠控制當今納米和微型衛(wèi)星所需的小型離子系統(tǒng)。

對于要求更高的地理場景和深空探測器，高精度電阻器研發(fā)公司的研究工程師目前正在試驗使用氮化鎵(GaN)。氮化鎵在這樣的環(huán)境中可能提供總劑量和單事件免疫，盡管消除電路中的寄生熱可能是一個問題。為了解決這個潛在的問題，高精度電阻器研發(fā)公司公司也領(lǐng)導了對雙面冷卻機制的研究，這種機制將為這種寬禁帶半導體器件提供有效的散熱。

高精度電阻器研發(fā)公司公司可以為設(shè)計人員提供電路配置的自由，同時也可以就硅芯片的選擇提供建議，從而提高電氣效率，并為任務(wù)提供正確的輻射耐受水平。

此外，高精度電阻器研發(fā)公司還積極參與基于新興的寬禁帶半導體技術(shù)(如碳化硅)的器件開發(fā)。碳化硅已經(jīng)提供了低損耗切換能力，并具有良好的總劑量能力。當前一代SiC設(shè)備的單一效果特性意味著它們不適合地理應(yīng)用(存在高水平輻射的地方)，但是它們的屬性可能使它們適合在要求較低的LEO衛(wèi)星星座中實現(xiàn)。

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