金屬膜電阻器使用高阻靶材生產有哪些優(yōu)勢

來源：萬利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時間：2019-01-25

金屬膜電阻器耐熱性高、穩(wěn)定性好、噪聲低、頻率響應范圍寬，單位面積承受功耗較高，有利于電子器件向小型化、集成化方向發(fā)展，廣泛應用于儀器、儀表及通訊設備等領域，尤其適用于航空、航天、國防等高精密電子儀器。這就對金屬膜電阻器提出更高的要求，包括較低的電阻溫度系數(shù)、較高的抗環(huán)境變化性能和通用性。

目前磁控濺射是制備金屬膜電阻器的主流技術。作為濺射源，靶材的質量制約著金屬膜電阻器的電阻溫度系數(shù)、精度、可靠性和穩(wěn)定性。制作高質量靶材關鍵技術在于控制靶材組織晶粒粗化，細化晶粒尺寸。晶粒細化有利于改善靶材內部組織均勻化，提高靶材強度及硬度，延長靶材使用壽命。同時相比粗晶粒靶材，細小晶粒靶濺射速率快，成膜速率高；成分和組織均勻性較好的靶材濺射過程不易飛濺，膜層厚度均一，成膜質量高。

目前制備金屬膜電阻器的靶材產品主要包括Ni-Cr、Cr-Si和Cr-SiO等幾類。中國生產的高阻濺射靶材大多采用真空熔煉、澆注、熱處理、機加工等工藝流程制備。產品晶粒普遍粗大，組織分布均勻性較差，導致濺射得到的金屬膜電阻器的電阻溫度系數(shù)在高低溫區(qū)相差過大，阻值不穩(wěn)定。另外制造高阻值靶材時需增加Cr、Si元素含量，由于Cr的熔點較高（1857℃），Si屬半導體元素，導致合金脆性較高，內應力大，鑄錠冷卻過程中易出現(xiàn)裂紋，甚至開裂，造成靶材冶煉加工困難，金屬膜電阻器成品率低。