氧化鉻薄膜電阻器有哪些特點和優(yōu)勢

來源：萬利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時間：2019-12-23

電阻器生產(chǎn)所使用的采樣日新月異，許多電阻材料不斷進行更新和研發(fā)。目前氧化鉻的復合物制作出具有高阻值的，小巧緊湊的氧化鉻薄膜電阻器。氧化鉻薄膜電阻器使用一種叫做霧化噴射沉積的技術制作氧化鉻薄層電阻。通過控制薄層中氧原子的成分濃度，研究人員能夠調節(jié)氧化鉻薄層的電阻：氧原子的成分越多，電阻阻值就越高。

氧化鉻薄膜電阻材料的使用對許多電阻器來說具有非常重要的研究價值，研究人員將電阻冷卻到4.2開爾文，并測量了一系列氧鉻質量比的電阻率。研究人員檢測到的導電性較差的材料，如氧化鉻薄膜，通常在低溫下具有較高的電阻，而在QPS器件中使用的任何電阻器都必須在足夠冷的溫度下工作，量子效應將支配經(jīng)典效應。對于含氧量最高的電阻器，研究人員測量了一個足夠高的電阻，以滿足大多數(shù)QPS電路的要求。

研究人員通過一個氧化鉻薄膜在與鈮硅的界面處的接觸電阻。用鈮硅納米線制作QPS電路將是測量放大器新量子標準的一種方法。電阻器研究小組發(fā)現(xiàn)，在氧化鉻和鈮硅之間形成一個金中間層降低了接觸電阻，這是一個有利的結果。團隊下一步計劃將他們的新電阻集成到QPS設備中，新的電阻技術帶來了新的領域和量子器件的巨大效益。