什么是薄膜芯片電阻，薄膜芯片電阻有哪些優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

來源：萬利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2019-08-21

薄膜芯片電阻是一款采用薄膜電阻工藝生產(chǎn)的一種精密電阻器，薄膜芯片電阻符合Rohs標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，常見的薄膜芯片電阻采用貼片電阻封裝模式，主要生產(chǎn)型號(hào)有0201、0402、0603、0805、1206、1210、2010、2512等貼片電阻封裝型號(hào)可選。隨著薄膜芯片電阻對(duì)精度和穩(wěn)定性要求的提高，目前由MICROHM推出的NAP系列薄膜芯片電阻在市場(chǎng)上被廣泛采用，目前該系列的薄膜芯片電阻已經(jīng)擴(kuò)展到標(biāo)準(zhǔn)、高精度、大功率三個(gè)領(lǐng)域。

NAP系列薄膜芯片電阻的電阻誤差: ±0.01%、±0.05%、±0.1%、 0.25%、0.5%、±1%等多個(gè)區(qū)間。NAP系列薄膜芯片電阻的電阻功率: 1/32w;1/16w; 1/10w;1/8w; 1/5w; 1/4w; 1/2w等多個(gè)功率，目前也可以接受電阻任意阻值的定制。這種NAP系列薄膜芯片電阻是一種高精密電阻器，NAP系列主要應(yīng)用在醫(yī)療設(shè)備，測(cè)試、測(cè)量設(shè)備，打印、印刷設(shè)-備，自動(dòng)化設(shè)備控制器。

NAP系列產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)在于，除了正常的保護(hù)涂層外，還應(yīng)用了不透水的內(nèi)部鈍化層。在構(gòu)建NAP芯片系列時(shí)，在氧化鋁基板上選擇性地沉積鎳/鉻薄膜材料，并在每一端層鍍鎳和錫金屬接點(diǎn)。對(duì)NAP芯片進(jìn)行熱處理，以獲得所需的溫度系數(shù)(TCR)和穩(wěn)定性，然后采用精確控制的激光微調(diào)工藝調(diào)整阻值。NAP系列，符合ROSH和無鉛，可用于膠帶包裝。

NAP系列薄膜芯片電阻提供一個(gè)廣泛的芯片尺寸,電阻值范圍接近公差和低識(shí)別數(shù)據(jù),微歐姆提供定義的表面電阻與山總輪廓的大小從0201年到2512年,提供高穩(wěn)定度的溫度波動(dòng)下1 ppm /°C和寬容到±0.01%,容差范圍從1歐姆到3歐姆。薄膜精密芯片電阻NAP系列提供的解決方案，精密測(cè)試和測(cè)量和電壓調(diào)節(jié)跨醫(yī)療監(jiān)控設(shè)備市場(chǎng)，工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品要求嚴(yán)格的公差，低TCR，和高額定功率。

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