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薄膜電阻低溫漂設計結(jié)構(gòu)包括哪些

來源：萬利隆電子 閱讀量：2000發(fā)布時間：2019-05-29
低溫漂電阻對于很多行業(yè)來說非常重要，許多產(chǎn)品要求的電阻在一定溫度范圍內(nèi)保持一定的低溫漂設計，對于很多類型的低溫漂電阻來說，電阻低溫漂往往取決于電阻材料的使用。目前很多薄膜電阻低電阻溫度系數(shù)結(jié)構(gòu)材料的結(jié)構(gòu)一般包括玻璃或陶瓷基底、負電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層、金屬電極層、鈍化保護層，這種低溫漂薄膜電阻具有非常重要的作用。
 
低溫漂電阻
 
低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻，結(jié)構(gòu)包括微晶玻璃基底，TaN電阻材料層與Ni60Cr40金屬電阻材料層，W90Ti10/Au電極層，以及SiO2保護層。TaN電阻材料層設于微晶玻璃基底與Ni60Cr40金屬電阻材料層之間；Ni60Cr40金屬電阻材料層上表層設有W90Ti10/Au電極層以及非W90Ti10/Au電極層區(qū)域的SiO2保護層。低溫漂薄膜電阻生產(chǎn)方法包括以下步驟：
 
低溫漂電阻
 
1、選用尺寸為50.8mm×50.8mm×0.3mm的微晶玻璃基片，清洗干凈后，通過磁控濺射的方法，依次沉積負電阻溫度系數(shù)的TaN電阻材料層、正電阻溫度系數(shù)的Ni60Cr40金屬電阻材料層與W90Ti10/Au金屬電極層；
2、將微晶玻璃基片、制得薄膜電阻放入300℃烘箱，熱處理3h；
3、通過光刻和濕法腐蝕的方法，制作出金屬電極區(qū)域圖形；
4、通過光刻和離子刻蝕的方法，將Ni60Cr40金屬材料層制作出電阻線條圖案；
5、電阻線條圖案得到的基片裝入夾具，測得薄膜電阻的溫度系數(shù)為-18～-13.4ppm/℃；
6、在通過離子刻蝕和激光調(diào)阻的方法，減小TaN電阻材料層的面積，測試溫度系數(shù)約為-4.6～-2.1ppm/℃；
7、利用PECVD在該基板正面沉積SiO2保護層，通過光刻的方法，露出W90Ti10/Au電極層區(qū)域。
低溫漂電阻
目前采用低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻結(jié)構(gòu)的基底為微晶玻璃，基底上為TaN電阻材料層，它上面設置Ni60Cr40金屬電阻材料，Ni60Cr40金屬電阻材料部分覆蓋TaN金屬電阻材料；TaN與Ni60Cr40金屬電阻材料層上設置W90Ti10/Au金屬電極區(qū)域和SiO2保護層區(qū)域。薄膜電阻電阻通過這些生產(chǎn)流程可以實現(xiàn)低溫漂設計，具有很好的穩(wěn)定性，目前很多電阻廠家都在積極推進這種生產(chǎn)方式。
 
此文關(guān)鍵詞：薄膜電阻低溫漂薄

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