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薄膜電阻生產(chǎn)工藝流程中的陰版刻蝕法與光刻機(jī)套刻電阻有什么不同

來(lái)源:萬(wàn)利隆電子 閱讀量:2000發(fā)布時(shí)間:2019-04-16
薄膜電阻是一種比較常見(jiàn)的電阻器,通常薄膜電阻器的制造方法,通常包括絕緣基板,以非光刻法在絕緣基板上形成一導(dǎo)體圖案層,在導(dǎo)體圖案層與絕緣基板上形成一薄膜電阻層;以光刻法將薄膜電阻層圖案化。這種薄膜電阻制造方法制造薄膜電阻器,可以降低薄膜電阻器的制造成本,但目前很多薄膜電阻選擇陰版刻蝕法,這種薄膜電阻制造法越來(lái)越流行。
薄膜電阻生產(chǎn)工藝流程
薄膜電阻制作常使用“陰版刻蝕法”,其制作過(guò)程先進(jìn)行第一次光刻和腐蝕,得到電極和電阻整體圖形,再用套刻電阻掩膜版作選擇性掩膜進(jìn)行光刻和腐蝕,得到電阻圖形。這種方法的最大問(wèn)題是套準(zhǔn)窗口窄。由于“對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記”局限于特定結(jié)構(gòu)通常是陶瓷片的邊緣部分,它不能在任何地方都成為套準(zhǔn)的保證。套準(zhǔn)會(huì)受到鏡頭失常、陶瓷片夾緊不正常、掩膜版圖案錯(cuò)位以及陶瓷片自身扭曲的影響。
 
因此陰版刻蝕法制造薄膜電阻,一般先將套刻掩膜版與上一層微結(jié)構(gòu)圖形這兩者上的“對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記”對(duì)準(zhǔn),進(jìn)而觀察兩者上的圖形是否套準(zhǔn),如發(fā)生錯(cuò)位,進(jìn)行微調(diào)處理,待圖形完全套準(zhǔn)后再進(jìn)行曝光等后序工作。該方法套刻電阻時(shí)使用的掩膜版為陰版,即掩膜版上的大部分是遮光區(qū),只有一小部分是透明。掩膜版上大面積的遮光區(qū)使得微結(jié)構(gòu)圖形的邊界不夠清晰,圖形套準(zhǔn)操作相對(duì)較難,易發(fā)生圖形套刻錯(cuò)位,套準(zhǔn)時(shí)間也相應(yīng)較長(zhǎng)。
薄膜電阻生產(chǎn)工藝流程
使用普通的接觸或接近式光刻機(jī)套刻電阻時(shí),一旦發(fā)生圖形未套準(zhǔn)將引起連鎖反應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致電阻圖形腐蝕錯(cuò)位,輕者會(huì)使得電阻阻值發(fā)生較大偏移,重者導(dǎo)致微波電路圖形被破壞,直接影響產(chǎn)品的成品率。所以,一般情況下在鏡檢時(shí)發(fā)現(xiàn)套刻錯(cuò)位時(shí)采取及時(shí)返工,但這樣做既費(fèi)工又廢料,生產(chǎn)效率不高。
薄膜電阻生產(chǎn)工藝流程
由上可見(jiàn),薄膜電阻生產(chǎn)方法非常重要,如果采用不正確的生產(chǎn)方法得到的薄膜電阻無(wú)論是在精度還是在生產(chǎn)成本上都有很大區(qū)別。正確的方法可以高效的得到薄膜電阻,此外薄膜電阻制作是混合微波集成電路工藝生產(chǎn)中的重要一環(huán),其制備方法的優(yōu)劣,很大程度上決定了微波集成電路的生產(chǎn)效率和成品率。
 
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