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薄膜片式電阻器生產(chǎn)如何處理薄膜片與溫度TCR相互影響

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子人氣：2000 發(fā)布時(shí)間：2019-03-15

薄膜片式電阻器是近幾年來(lái)發(fā)展最迅速、應(yīng)用范圍最廣片式電阻器，相比厚膜片式電阻器而言，薄膜片式電阻器的電阻膜層主要成分為鎳鉻合金，經(jīng)過(guò)精密加工和后期處理，阻值精度可達(dá)±0.05%，溫度系數(shù)可達(dá)到±5ppm/℃，穩(wěn)定度可達(dá)到0.02%，是替代低精度的厚膜片式電阻器以及傳統(tǒng)高精度、高穩(wěn)定柱狀帶引線電阻器。生產(chǎn)薄膜片式電阻器技術(shù)要求非常嚴(yán)格，如果處理不好薄膜片與溫度TCR相互影響，將會(huì)導(dǎo)致薄膜片式電阻器失敗率非常高。

在很多貼片電阻器按薄膜片狀電阻器標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)和試驗(yàn)，其阻值采用美國(guó)塑數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)逯，對(duì)于10Q以下的電阻器均以四端渕置法迸行測(cè)試。此外，還按IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法生產(chǎn)電租器的絕緣電阻值，以及應(yīng)用電子能譜技術(shù)和化學(xué)微鍛分析法研究了不同基片溫度下蒸發(fā)的電阻膜成分

薄膜片式電阻器進(jìn)行生產(chǎn)的基片溫度是影響薄膜片狀電駔器性能的關(guān)鍵參數(shù)之一。薄膜片狀電阻器的TCR與蒸發(fā)NiCr膜、Au膜時(shí)基片溫度(Ts-NiCr、Ts-Au)的關(guān)系，隨著Ts-NiCr的升高，其TCR從負(fù)值趨向于零，再向正依增大。這是由于基片溫度升髙，使得NiQ薄膜的晶粒增大，晶粒邊界面積減小，蒸發(fā)Aii膜時(shí)基片溫度Ts-Au對(duì)TCK的影響則相反。這可通過(guò)Au聯(lián)與NiCr膜之間的互擴(kuò)散隨其基片溫度的升髙而垴強(qiáng)來(lái)解釋。因?yàn)樵诠饪谈gAu時(shí)，NiCr/Au互擴(kuò)散層Ui被腐蝕掉薄膜片電阻器的TCK與薄膜片狀電阻器的TCK有一定關(guān)系。

所以互散效應(yīng)加強(qiáng)時(shí)，NiCr/Au互擴(kuò)層的厚度增大，經(jīng)光刻后從薄膜片上的NiCr膜厚度隨之減小。由于NiCr合金中Ni、Cfft蒸氣壓相差很大，所以蒸發(fā)速率大為不同，于是NiCr膜在厚度方向上成分的分布不相同，越接近基片，其含CrMH例越大。這時(shí)的Cr多以Crs03的形式存在，而CV203是一種半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化物，其TCR為負(fù)值，所以升高Ts-Au,使得電阻器的TCR趨于負(fù)向。

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